
13.10.2017 - predavanja VISOKOFREKVENČNA TEHNIKA
------------------------------------------------
1. Tranzistorji za ojačevalnike, bipolarni (BJT) in poljski (FET).
2. Zgodovinski germanijev PNP tranzistor, izdelava, stari in novi simboli.
3. Vezava tranzistorja s skupno bazo, parameter Alfa, napetostno ojačanje.
4. Sodobni silicijev NPN tranzistor, profil dopiranja, pasivizacija.
5. Tokovno ojačanje tranzistorja Beta, velikostni razred, zahteve za dopiranje.
6. Napetostni ojačevalnik v vezavi s skupno bazo (U), ocena Au.
7. Tokovni ojačevalnik s skupnim kolektorjem (I) emitorski sledilnik Ai=Beta+1.
8. Ojačevalnik s skupnim emitorjem (UI), G=Au.Ai.
9. Odziv ojačevalnika s skupnim emitorjem, ojačane majhnih signalov.
10. Nasičenje, nadomestno vezje z diodo BK v zapori.
11. Prebojne napetosti Si tranzistorja, As emitor, počasna rast Schottky diode.
12. Delovna točka ojačevalnika: A, B, dualni B in C, popačenja in izkoristki.
12. Nastavitev delovne točke ojačevalnika v razredu A z dušilkami.
13. Nevarnost toplotnega pobega zaradi -2.2mV/K spoja BE.
14. Delovna točka s tokovnim virom v bazi, težava odstopanje Beta.
15. Delovna točka s povratno vezavo Rcb, znižuje tokovno ojačanje ampak preprosto.
16. Delovna točka s povratno vezavo Re+Ce, komplicirano za stare Ge tranzistorje.
17. Napačno vezje za nastavitev delovne točke NF ojačevalnika s toplotnim pobegom.
18. Neenakomerna porazdelitev zaradi negativnega TK, sekundarni preboj.
19. Diagram omejitev tranzistorja: Imax, Umax, Pmax, sekundarni preboj, SOA.
20. Emitorski prsti in izenačevalni upori v visokofrekvenčnih BJT.
21. Izbira izenačevalnih uporov glede na razred ojačevalnika in frekvenco.
22. Nadomestno vezje s paraziti: Cmiller in  Cmanjšinjskih.
23. Upadanje Beta s frekvenco zaradi kapacitivnosti manjšinskih nosilcev.
24. Izračun časovne konstante RdCm spoja BE.
25. Definicija fBeta in fT tranzistorja, računanje, zgledi SiNF, SiVF, SiGe, HBT.
26. BJT v nasičenju, zakasnitev manjšinskih ob izklopu, Schottky tranzistor.
27. Potek Beta in fT s kolektorskim tokom, učinek upornosti baze, izriv toka.
28. Načrtovanje in izvedba AGC tranzistorja.
29. Vgradnja Si-NPN čipa v ohišje, učinek induktivnosti bondirnih žic.
30. Čip NPN tranzistorja z ozemljenim emitorjem.
31. Povezave in hlajenje močnostnega VF tranzistorja, ohišje iz BeO.

