\documentclass{minimal}
\pdfpagewidth 210mm
\pdfpageheight 297mm
\setlength{\voffset}{-20mm}
\setlength{\hoffset}{-20mm}
\setlength{\textheight}{287mm}
\setlength{\textwidth}{200mm}
\setlength{\parindent}{0mm}
\raggedright
\usepackage[utf8]{inputenc}
\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
\begin{document}
\fontsize{17}{20}\selectfont
(1)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=180mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$5.00$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$8.33$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
2. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$160mV$}
\hfill (B) {$80mV$}
\hfill (C) {$120mV$}
\hfill (D) {$60mV$}
~~~\vfill\vfill
3. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (B) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (C) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (D) {prekratko preizkusno zaporedje}
~~~\vfill\vfill
4. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$48 bit$}
\hfill (C) {$32 bit$}
\hfill (D) {$64 bit$}
~~~\vfill\vfill
5. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.873A/W$}
\hfill (B) {$0.499A/W$}
\hfill (C) {$0.633A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
6. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$22.5$}
\hfill (C) {$6.7$}
\hfill (D) {$15$}
~~~\vfill\vfill
7. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {germanija ($Ge$) pri $\lambda=1.31\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$3$}
\hfill (B) {$10$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$50$}
~~~\vfill\vfill
8. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$2 bit$}
\hfill (C) {$8 bit$}
\hfill (D) {$4 bit$}
~~~\vfill\vfill
9. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {vodnike večjega preseka}
\hfill (B) {zaščito pred glodalci}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {dielektrik z manj izgubami}
~~~\vfill\vfill
10. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l<100m$}?
\vfill
(A) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (B) {ASK trak več vlaken}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {QAM16 x2 polarizaciji}
~~~\vfill\vfill
11. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$488nm$}
\hfill (B) {$637nm$}
\hfill (C) {$914nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
12. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-4.4dB$}
\hfill (B) {$-2.2dB$}
\hfill (C) {$-8.8dB$}
\hfill (D) {$-1.1dB$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(2)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (B) {ASK trak več vlaken}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {BPSK eno vlakno TDM}
~~~\vfill\vfill
2. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$48 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$64 bit$}
\hfill (D) {$32 bit$}
~~~\vfill\vfill
3. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (B) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (C) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (D) {prekratko preizkusno zaporedje}
~~~\vfill\vfill
4. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=180mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$8.33$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
5. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$2 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$4 bit$}
\hfill (D) {$8 bit$}
~~~\vfill\vfill
6. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$3$}
\hfill (B) {$50$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$10$}
~~~\vfill\vfill
7. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-4.4dB$}
\hfill (B) {$-8.8dB$}
\hfill (C) {$-2.2dB$}
\hfill (D) {$-1.1dB$}
~~~\vfill\vfill
8. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$80mV$}
\hfill (D) {$120mV$}
~~~\vfill\vfill
9. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.738A/W$}
\hfill (B) {$0.873A/W$}
\hfill (C) {$0.499A/W$}
\hfill (D) {$0.633A/W$}
~~~\vfill\vfill
10. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {vodnike večjega preseka}
~~~\vfill\vfill
11. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$914nm$}
\hfill (B) {$637nm$}
\hfill (C) {$488nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
12. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$22.5$}
\hfill (B) {$6.7$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$15$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(3)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$6.7$}
\hfill (B) {$22.5$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$15$}
~~~\vfill\vfill
2. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {germanija ($Ge$) pri $\lambda=1.31\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$3$}
\hfill (B) {$20$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$50$}
~~~\vfill\vfill
3. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$5.00$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$8.33$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
4. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=70\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1550nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.873A/W$}
\hfill (B) {$0.499A/W$}
\hfill (C) {$0.633A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
5. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$1119nm$}
\hfill (B) {$637nm$}
\hfill (C) {$914nm$}
\hfill (D) {$488nm$}
~~~\vfill\vfill
6. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-8.8dB$}
\hfill (B) {$-4.4dB$}
\hfill (C) {$-1.1dB$}
\hfill (D) {$-2.2dB$}
~~~\vfill\vfill
7. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$64 bit$}
\hfill (B) {$48 bit$}
\hfill (C) {$16 bit$}
\hfill (D) {$32 bit$}
~~~\vfill\vfill
8. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {vodnike večjega preseka}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {dielektrik z manj izgubami}
~~~\vfill\vfill
9. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$2 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$4 bit$}
\hfill (D) {$8 bit$}
~~~\vfill\vfill
10. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$160mV$}
\hfill (B) {$120mV$}
\hfill (C) {$80mV$}
\hfill (D) {$60mV$}
~~~\vfill\vfill
11. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (B) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (C) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (D) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
~~~\vfill\vfill
12. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (B) {ASK trak več vlaken}
\hfill (C) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (D) {BPSK eno vlakno TDM}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(4)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (B) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (C) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (D) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
~~~\vfill\vfill
2. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$637nm$}
\hfill (B) {$488nm$}
\hfill (C) {$1119nm$}
\hfill (D) {$914nm$}
~~~\vfill\vfill
3. Modulacija QAM16 lahko doseže na {eni sami polarizaciji} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$8 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$4 bit$}
\hfill (D) {$2 bit$}
~~~\vfill\vfill
4. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=70\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1550nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.633A/W$}
\hfill (B) {$0.873A/W$}
\hfill (C) {$0.499A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
5. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$3$}
\hfill (C) {$50$}
\hfill (D) {$20$}
~~~\vfill\vfill
6. UTP kabel s štirimi paricami {Cat5 vsebuje v primerjavi s Cat3} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {elektromagnetni oklop}
\hfill (B) {zaščito pred glodalci}
\hfill (C) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (D) {vodnike večjega preseka}
~~~\vfill\vfill
7. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$5.00$}
\hfill (B) {$6.00$}
\hfill (C) {$7.20$}
\hfill (D) {$8.33$}
~~~\vfill\vfill
8. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$22.5$}
\hfill (B) {$15$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$6.7$}
~~~\vfill\vfill
9. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (B) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (C) {ASK trak več vlaken}
\hfill (D) {ASK eno vlakno CWDM}
~~~\vfill\vfill
10. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$48 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$64 bit$}
\hfill (D) {$32 bit$}
~~~\vfill\vfill
11. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$120mV$}
\hfill (D) {$80mV$}
~~~\vfill\vfill
12. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-1.1dB$}
\hfill (B) {$-2.2dB$}
\hfill (C) {$-8.8dB$}
\hfill (D) {$-4.4dB$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(5)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$7.20$}
\hfill (B) {$6.00$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$8.33$}
~~~\vfill\vfill
2. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$20$}
\hfill (B) {$50$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$3$}
~~~\vfill\vfill
3. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$120mV$}
\hfill (D) {$80mV$}
~~~\vfill\vfill
4. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.738A/W$}
\hfill (B) {$0.873A/W$}
\hfill (C) {$0.633A/W$}
\hfill (D) {$0.499A/W$}
~~~\vfill\vfill
5. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {elektromagnetni oklop}
\hfill (C) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (D) {vodnike večjega preseka}
~~~\vfill\vfill
6. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {silicija ($Si$) z bandgap $\Delta W=1.11eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$637nm$}
\hfill (B) {$914nm$}
\hfill (C) {$488nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
7. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (B) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (C) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (D) {toplotni in zrnati šum}
~~~\vfill\vfill
8. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$6.7$}
\hfill (C) {$22.5$}
\hfill (D) {$15$}
~~~\vfill\vfill
9. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {ASK trak več vlaken}
\hfill (B) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {BPSK eno vlakno TDM}
~~~\vfill\vfill
10. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$8 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$4 bit$}
\hfill (D) {$2 bit$}
~~~\vfill\vfill
11. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-1.1dB$}
\hfill (B) {$-2.2dB$}
\hfill (C) {$-4.4dB$}
\hfill (D) {$-8.8dB$}
~~~\vfill\vfill
12. Polje {SYNC} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$64 bit$}
\hfill (B) {$32 bit$}
\hfill (C) {$16 bit$}
\hfill (D) {$48 bit$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(6)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-8.8dB$}
\hfill (B) {$-1.1dB$}
\hfill (C) {$-2.2dB$}
\hfill (D) {$-4.4dB$}
~~~\vfill\vfill
2. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (B) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (C) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (D) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
~~~\vfill\vfill
3. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$8 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$2 bit$}
\hfill (D) {$4 bit$}
~~~\vfill\vfill
4. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l<100m$}?
\vfill
(A) {ASK trak več vlaken}
\hfill (B) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (C) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (D) {ASK eno vlakno CWDM}
~~~\vfill\vfill
5. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=180mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$6.00$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$8.33$}
\hfill (D) {$5.00$}
~~~\vfill\vfill
6. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$32 bit$}
\hfill (B) {$48 bit$}
\hfill (C) {$16 bit$}
\hfill (D) {$64 bit$}
~~~\vfill\vfill
7. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {germanija ($Ge$) pri $\lambda=1.31\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$3$}
\hfill (B) {$20$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$50$}
~~~\vfill\vfill
8. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$15$}
\hfill (C) {$22.5$}
\hfill (D) {$6.7$}
~~~\vfill\vfill
9. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$80mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$120mV$}
\hfill (D) {$60mV$}
~~~\vfill\vfill
10. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=70\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1550nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.873A/W$}
\hfill (B) {$0.738A/W$}
\hfill (C) {$0.633A/W$}
\hfill (D) {$0.499A/W$}
~~~\vfill\vfill
11. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$914nm$}
\hfill (B) {$488nm$}
\hfill (C) {$637nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
12. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (B) {vodnike večjega preseka}
\hfill (C) {zaščito pred glodalci}
\hfill (D) {elektromagnetni oklop}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(7)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-1.1dB$}
\hfill (B) {$-4.4dB$}
\hfill (C) {$-8.8dB$}
\hfill (D) {$-2.2dB$}
~~~\vfill\vfill
2. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (B) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (C) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (D) {ASK trak več vlaken}
~~~\vfill\vfill
3. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$8.33$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
4. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$48 bit$}
\hfill (B) {$32 bit$}
\hfill (C) {$64 bit$}
\hfill (D) {$16 bit$}
~~~\vfill\vfill
5. Modulacija QAM16 lahko doseže na {eni sami polarizaciji} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$4 bit$}
\hfill (C) {$8 bit$}
\hfill (D) {$2 bit$}
~~~\vfill\vfill
6. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$50$}
\hfill (B) {$3$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$10$}
~~~\vfill\vfill
7. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (B) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (C) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (D) {nelinearno popačenje in $FWM$}
~~~\vfill\vfill
8. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$914nm$}
\hfill (B) {$1119nm$}
\hfill (C) {$637nm$}
\hfill (D) {$488nm$}
~~~\vfill\vfill
9. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.499A/W$}
\hfill (B) {$0.873A/W$}
\hfill (C) {$0.633A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
10. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$120mV$}
\hfill (C) {$80mV$}
\hfill (D) {$160mV$}
~~~\vfill\vfill
11. UTP kabel s štirimi paricami {Cat5 vsebuje v primerjavi s Cat3} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {vodnike večjega preseka}
~~~\vfill\vfill
12. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$22.5$}
\hfill (B) {$10$}
\hfill (C) {$15$}
\hfill (D) {$6.7$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(8)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (B) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (C) {ASK trak več vlaken}
\hfill (D) {ASK eno vlakno CWDM}
~~~\vfill\vfill
2. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$64 bit$}
\hfill (C) {$32 bit$}
\hfill (D) {$48 bit$}
~~~\vfill\vfill
3. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-1.1dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-2.2dB$}
\hfill (B) {$-8.8dB$}
\hfill (C) {$-1.1dB$}
\hfill (D) {$-4.4dB$}
~~~\vfill\vfill
4. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$4 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$2 bit$}
\hfill (D) {$8 bit$}
~~~\vfill\vfill
5. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.633A/W$}
\hfill (B) {$0.499A/W$}
\hfill (C) {$0.873A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
6. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {vodnike večjega preseka}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {dielektrik z manj izgubami}
~~~\vfill\vfill
7. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$6.7$}
\hfill (B) {$15$}
\hfill (C) {$22.5$}
\hfill (D) {$10$}
~~~\vfill\vfill
8. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (B) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (C) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (D) {prekratko preizkusno zaporedje}
~~~\vfill\vfill
9. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$3$}
\hfill (C) {$50$}
\hfill (D) {$20$}
~~~\vfill\vfill
10. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {silicija ($Si$) z bandgap $\Delta W=1.11eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$637nm$}
\hfill (B) {$1119nm$}
\hfill (C) {$914nm$}
\hfill (D) {$488nm$}
~~~\vfill\vfill
11. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$7.20$}
\hfill (B) {$5.00$}
\hfill (C) {$6.00$}
\hfill (D) {$8.33$}
~~~\vfill\vfill
12. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$80mV$}
\hfill (D) {$120mV$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(9)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-1.1dB$}
\hfill (B) {$-2.2dB$}
\hfill (C) {$-8.8dB$}
\hfill (D) {$-4.4dB$}
~~~\vfill\vfill
2. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$8.33$}
\hfill (B) {$7.20$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
3. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$2 bit$}
\hfill (B) {$8 bit$}
\hfill (C) {$16 bit$}
\hfill (D) {$4 bit$}
~~~\vfill\vfill
4. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.499A/W$}
\hfill (B) {$0.633A/W$}
\hfill (C) {$0.873A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
5. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$60mV$}
\hfill (B) {$120mV$}
\hfill (C) {$160mV$}
\hfill (D) {$80mV$}
~~~\vfill\vfill
6. Polje {VLAN} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$64 bit$}
\hfill (B) {$32 bit$}
\hfill (C) {$48 bit$}
\hfill (D) {$16 bit$}
~~~\vfill\vfill
7. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {zaščito pred glodalci}
\hfill (B) {vodnike večjega preseka}
\hfill (C) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (D) {elektromagnetni oklop}
~~~\vfill\vfill
8. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (B) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (C) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (D) {prekratko preizkusno zaporedje}
~~~\vfill\vfill
9. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$50$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$3$}
~~~\vfill\vfill
10. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {silicija ($Si$) z bandgap $\Delta W=1.11eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$637nm$}
\hfill (B) {$488nm$}
\hfill (C) {$914nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
11. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l<100m$}?
\vfill
(A) {ASK trak več vlaken}
\hfill (B) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {QAM16 x2 polarizaciji}
~~~\vfill\vfill
12. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$15$}
\hfill (C) {$22.5$}
\hfill (D) {$6.7$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(10)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=70\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1550nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.738A/W$}
\hfill (B) {$0.633A/W$}
\hfill (C) {$0.873A/W$}
\hfill (D) {$0.499A/W$}
~~~\vfill\vfill
2. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l<100m$}?
\vfill
(A) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (B) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {ASK trak več vlaken}
~~~\vfill\vfill
3. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$50$}
\hfill (B) {$10$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$3$}
~~~\vfill\vfill
4. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=180mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$6.00$}
\hfill (B) {$8.33$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$7.20$}
~~~\vfill\vfill
5. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$10$}
\hfill (B) {$15$}
\hfill (C) {$6.7$}
\hfill (D) {$22.5$}
~~~\vfill\vfill
6. Polje {SYNC} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$48 bit$}
\hfill (B) {$64 bit$}
\hfill (C) {$32 bit$}
\hfill (D) {$16 bit$}
~~~\vfill\vfill
7. UTP kabel s štirimi paricami {Cat5 vsebuje v primerjavi s Cat3} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {vodnike večjega preseka}
\hfill (B) {zaščito pred glodalci}
\hfill (C) {elektromagnetni oklop}
\hfill (D) {dielektrik z manj izgubami}
~~~\vfill\vfill
8. Modulacija QAM16 lahko doseže na {eni sami polarizaciji} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$4 bit$}
\hfill (B) {$2 bit$}
\hfill (C) {$16 bit$}
\hfill (D) {$8 bit$}
~~~\vfill\vfill
9. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$80mV$}
\hfill (B) {$60mV$}
\hfill (C) {$160mV$}
\hfill (D) {$120mV$}
~~~\vfill\vfill
10. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-1.1dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-2.2dB$}
\hfill (B) {$-8.8dB$}
\hfill (C) {$-1.1dB$}
\hfill (D) {$-4.4dB$}
~~~\vfill\vfill
11. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$914nm$}
\hfill (B) {$488nm$}
\hfill (C) {$1119nm$}
\hfill (D) {$637nm$}
~~~\vfill\vfill
12. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (B) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (C) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (D) {toplotni in zrnati šum}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(11)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Modulacija QAM16 lahko doseže na {eni sami polarizaciji} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$8 bit$}
\hfill (C) {$4 bit$}
\hfill (D) {$2 bit$}
~~~\vfill\vfill
2. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l\approx 10km$}?
\vfill
(A) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (B) {ASK trak več vlaken}
\hfill (C) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (D) {QAM16 x2 polarizaciji}
~~~\vfill\vfill
3. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {germanija ($Ge$) pri $\lambda=1.31\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$50$}
\hfill (B) {$3$}
\hfill (C) {$20$}
\hfill (D) {$10$}
~~~\vfill\vfill
4. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {se bistveno ne spreminja} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (B) {nelinearno popačenje in $FWM$}
\hfill (C) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (D) {prekratko preizkusno zaporedje}
~~~\vfill\vfill
5. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$914nm$}
\hfill (B) {$637nm$}
\hfill (C) {$1119nm$}
\hfill (D) {$488nm$}
~~~\vfill\vfill
6. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=60\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1310nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.499A/W$}
\hfill (B) {$0.633A/W$}
\hfill (C) {$0.873A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
7. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=10$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$15$}
\hfill (B) {$22.5$}
\hfill (C) {$6.7$}
\hfill (D) {$10$}
~~~\vfill\vfill
8. Polje {SYNC} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$48 bit$}
\hfill (B) {$16 bit$}
\hfill (C) {$32 bit$}
\hfill (D) {$64 bit$}
~~~\vfill\vfill
9. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$7.20$}
\hfill (B) {$8.33$}
\hfill (C) {$5.00$}
\hfill (D) {$6.00$}
~~~\vfill\vfill
10. UTP kabel s štirimi paricami {Cat5 vsebuje v primerjavi s Cat3} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {vodnike večjega preseka}
\hfill (B) {zaščito pred glodalci}
\hfill (C) {dielektrik z manj izgubami}
\hfill (D) {elektromagnetni oklop}
~~~\vfill\vfill
11. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=2k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$80mV$}
\hfill (B) {$160mV$}
\hfill (C) {$120mV$}
\hfill (D) {$60mV$}
~~~\vfill\vfill
12. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-2.2dB$}
\hfill (B) {$-4.4dB$}
\hfill (C) {$-8.8dB$}
\hfill (D) {$-1.1dB$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\fontsize{17}{20}\selectfont
(12)\hfill\underline{ 5. tiha vaja iz OPTIČNIH KOMUNIKACIJ - 28.05.2020
}\hfill~~~\vfill
\fontsize{10}{12}\selectfont
1. Z osciloskopom izmerimo na izhodu APD-FET modula povprečni napetosti enice {$<U_1>=280mV$} in ničle $<U_0>=30mV$. Zrnati šum opazimo kot povečani šum enice $\sigma_1=20mV_{eff}$ v primerjavi s šumom ničle $\sigma_0=10mV_{eff}$. Kolikšno je razmerje signal/šum $Q=?$
\vfill
(A) {$6.00$}
\hfill (B) {$5.00$}
\hfill (C) {$7.20$}
\hfill (D) {$8.33$}
~~~\vfill\vfill
2. Fotodioda doseže kvantni izkoristek {$\eta=70\%$} pri valovni dolžini {$\lambda=1550nm$}. Kolikšna je odzivnost $I/P=?$ takšne fotodiode pri zaporni napetosti, kjer še ne pride do pojava plazovnega ojačanja? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$).
\vfill
(A) {$0.633A/W$}
\hfill (B) {$0.873A/W$}
\hfill (C) {$0.499A/W$}
\hfill (D) {$0.738A/W$}
~~~\vfill\vfill
3. Umazan konektor FC-PC vnaša dodatno slabljenje svetlobe {$a_O=-2.2dB$} na vhodu PIN-FET modula. Kolikšen je upad električnega signala $a_E=?$ na izhodu PIN-FET modula? 
\vfill
(A) {$-1.1dB$}
\hfill (B) {$-8.8dB$}
\hfill (C) {$-4.4dB$}
\hfill (D) {$-2.2dB$}
~~~\vfill\vfill
4. PIN-FET modul dosega razmerje signal/šum {$Q=15$} pri vsoti kapacitivnosti fotodiode, vhoda ojačevalnika in povezav $\Sigma C=0.4pF$. Kolikšen $Q'=?$ pričakujemo pri slabši izvedbi modula, ki skupno kapacitivnost poveča na $\Sigma C'=0.9pF$ in ostanejo vse ostale veličine nespremenjene?
\vfill
(A) {$15$}
\hfill (B) {$22.5$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$6.7$}
~~~\vfill\vfill
5. Sprejemnik s plazovno fotodiodo iz {$InGaAsP$ pri $\lambda=1.55\mu m$} doseže najboljše razmerje signal/šum pri faktorju plazovnega ojačanja $M$ približno:
\vfill
(A) {$3$}
\hfill (B) {$50$}
\hfill (C) {$10$}
\hfill (D) {$20$}
~~~\vfill\vfill
6. Modulacija QAM16 lahko doseže na {dveh pravokotnih polarizacijah} osnovnega rodu $HE_{11}$ spektralno učinkovitost $C/B=?$
\vfill
(A) {$2 bit$}
\hfill (B) {$4 bit$}
\hfill (C) {$8 bit$}
\hfill (D) {$16 bit$}
~~~\vfill\vfill
7. Kakšno modulacijo in multipleksiranje običajno uporablja visokozmogljivi optični Ethernet $C=100Gbit/s$ na razdaljah {$l<100m$}?
\vfill
(A) {QAM16 x2 polarizaciji}
\hfill (B) {BPSK eno vlakno TDM}
\hfill (C) {ASK eno vlakno CWDM}
\hfill (D) {ASK trak več vlaken}
~~~\vfill\vfill
8. PIN-FET modul vsebuje fotodiodo z odzivnostjo $I/P=0.6A/W$ in ojačevalnik s transimpedanco {$R_t=1k\Omega$}. Kolikšno izhodno napetost $U=?$ (vrh-vrh) dobimo s svetlobnim krmilnim signalom povprečne optične moči $<P_O>=-13dBm$ ($50\%$ enic, $50\%$ ničel in visoko ugasno razmerje)?
\vfill
(A) {$120mV$}
\hfill (B) {$80mV$}
\hfill (C) {$60mV$}
\hfill (D) {$160mV$}
~~~\vfill\vfill
9. Polje {SYNC} podaljšuje Ethernet okvir DIX za:
\vfill
(A) {$16 bit$}
\hfill (B) {$32 bit$}
\hfill (C) {$64 bit$}
\hfill (D) {$48 bit$}
~~~\vfill\vfill
10. Kolikšna je največja valovna dolžina svetlobe $\lambda=?$, ki jo še zazna fotupor iz {selena ($Se$) z bandgap $\Delta W=1.95eV$}? ($h=6.626\cdot 10^{-34}Js$, $c_0=3\cdot 10^8m/s$, $Q_e=-1.6\cdot 10^{-19}As$)
\vfill
(A) {$637nm$}
\hfill (B) {$914nm$}
\hfill (C) {$488nm$}
\hfill (D) {$1119nm$}
~~~\vfill\vfill
11. UTP kabel s štirimi paricami {Cat6 vsebuje v primerjavi s Cat5} naslednjo izboljšavo, ki povečuje domet in zmogljivost:
\vfill
(A) {elektromagnetni oklop}
\hfill (B) {vodnike večjega preseka}
\hfill (C) {zaščito pred glodalci}
\hfill (D) {dielektrik z manj izgubami}
~~~\vfill\vfill
12. Pogostnost napak $BER$ v optični zvezi {hitro upada} z naraščanjem jakosti sprejema $P_S$. Vzrok napak je najverjetneje:
\vfill
(A) {toplotni in zrnati šum}
\hfill (B) {$D_{barvni}$ in $PMD$}
\hfill (C) {prekratko preizkusno zaporedje}
\hfill (D) {nelinearno popačenje in $FWM$}
~~~\vfill\vfill
Priimek in ime:\hfill~Elektronski naslov:\hfill~\newpage
\end{document}